K4A8G085WC-BIWE vs MT40A512M16JY-07EAIT:B 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A8G085WC-BIWE 제조: Samsung Electronics 및 MT40A512M16JY-07EAIT:B 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron
MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | K4A8G085WC-BIWE | MT40A512M16JY-07EAIT:B |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.29 | $8.10 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| 메모리 구성 | 1G x 8 | 512M x 16 |
| 데이터 속도 | 3200 Mbps | 2666 MT/s |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| 동작 온도 범위 | -40°C to +95°C | -40°C to +105°C (AIT grade) |
| 패키지 | 78-FBGA | 96-FBGA (8x14) |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| 인터페이스 | POD-12 | Parallel |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| CAS 레이턴시 | 22 (CL22) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| 메모리 크기 | — | 8 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Voltage | — | 2.5V, -125mV, +250mV |
| Refresh Time | — | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |
| VREFDQ | — | On-die, internal, adjustable |
| AEC-Q100 | — | Qualified (AIT suffix) |
| RoHS | — | Compliant |