K4A8G165WG-BCWE vs MT40A512M16LY-062E AAT:E Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G165WG-BCWE par Samsung Electro-Mechanics et MT40A512M16LY-062E AAT:E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WG-BCWE K4A8G165WG-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM x16 3200Mbps | Samsung

K4A8G165WG-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM x16 3200Mbps | Samsung

K4A8G165WG-BCWE ✓ Actif
Micron Technology
MT40A512M16LY-062E AAT:E MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16LY-062E AAT:E ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K4A8G165WG-BCWE MT40A512M16LY-062E AAT:E
Marque Samsung Electro-Mechanics Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $29,53 $9,20
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 8 Gbit 8 Gbit (1 GB)
Memory Organization 512M x 16 512M x 16
Débit de données 3200 Mbps —
Tension d'alimentation 1.2 V 1.2 V
Plage de température de fonctionnement 0°C to +85°C —
Operating Current 20 mA —
Boîtier FBGA-96 96-FBGA (7.5 x 13.5 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Memory Interface Parallel —
Row Cycle Time (tRC) 19 ns —
Technology B-die —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Statut du cycle de vie Active —
Interface — Parallel
Clock Frequency — 1.6 GHz
Access Time — 19 ns
Speed Grade — 062E
Température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Package Height — [DATA_NEEDED: package max height]
MSL Rating — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Ordering Code Suffix — AAT:E (temperature/package option per Micron code)
Moisture Packaging — [DATA_NEEDED: packing type for AAT:E suffix]
Data Rate Class — DDR4-3200 (062E speed bin)

Fiches techniques et ressources

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