K4AAG085WA-BCTD vs K4AAG085WM-BCRC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4AAG085WA-BCTD par Samsung Electronics et K4AAG085WM-BCRC par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4AAG085WA-BCTD | K4AAG085WM-BCRC |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $10,18 | $1,00 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit (2 GB) | [DATA_NEEDED: exact density in Gb] |
| Organisation de la mémoire | 2G x 8 | x8 |
| Débit de données | 2666 Mbps | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Boîtier | 78-ball FBGA (78FBGA) | 78-ball FBGA |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Speed Grade | DDR4-2666 (-BCTD) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | DDR4 parallel, JEDEC DDR4 ballout | SSTL12 |
| Statut RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Bank Architecture | 16 banks in 4 bank groups (DDR4 standard) | — |
| Burst Length | BL8 (DDR4 standard) | — |
| Application Domain | Computing, networking, industrial memory | — |
| Manufacturing Standard | JEDEC DDR4 SDRAM | — |
| Lead Time / Stock | [DATA_NEEDED: current stock status] | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Max Data Rate | — | Up to 3200 Mbps/pin (family max per Samsung DDR4 page) |
| Architecture | — | Bank-group DDR4 |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT) |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CL of -BCRC speed grade] |
| Clock | — | Differential clock CK/CK# |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |