K4AAG085WA-BCTD vs K4AAG085WM-BCWE Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K4AAG085WA-BCTD par Samsung Electronics et K4AAG085WM-BCWE par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K4AAG085WA-BCTD K4AAG085WA-BCTD - 16Gb DDR4 2666Mbps SDRAM | Samsung

K4AAG085WA-BCTD - 16Gb DDR4 2666Mbps SDRAM | Samsung

K4AAG085WA-BCTD ✓ Actif
Samsung Electronics
K4AAG085WM-BCWE K4AAG085WM-BCWE - 16Gb DDR4 3200Mbps 78FBGA | Samsung

K4AAG085WM-BCWE - 16Gb DDR4 3200Mbps 78FBGA | Samsung

K4AAG085WM-BCWE ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K4AAG085WA-BCTD K4AAG085WM-BCWE
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs DRAM
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $10,18 $7,00
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit (2 GB) 16 Gb
Organisation de la mémoire 2G x 8 2G x 8
Débit de données 2666 Mbps 3200 Mbps (DDR4-3200)
Tension d'alimentation 1.2 V 1.2 V
Boîtier 78-ball FBGA (78FBGA) 78FBGA
Température de fonctionnement 0C to +85C 0C to +85C
Speed Grade DDR4-2666 (-BCTD) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Interface DDR4 parallel, JEDEC DDR4 ballout DDR4 (JEDEC-standard)
Statut RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Bank Architecture 16 banks in 4 bank groups (DDR4 standard) —
Burst Length BL8 (DDR4 standard) —
Application Domain Computing, networking, industrial memory —
Manufacturing Standard JEDEC DDR4 SDRAM —
Lead Time / Stock [DATA_NEEDED: current stock status] —
Bank Group Architecture — Yes (DDR4)
Speed Grade Suffix — -BCWE
Application Class — Memory IC / Storage Component
Power Reduction vs DDR3 — Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature)
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]

Fiches techniques et ressources

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