K4AAG085WA-BCTD vs K4AAG085WM-BCWE Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4AAG085WA-BCTD от Samsung Electronics и K4AAG085WM-BCWE от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | K4AAG085WA-BCTD | K4AAG085WM-BCWE |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | DRAM |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $10,18 | $7,00 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit (2 GB) | 16 Gb |
| Организация памяти | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Скорость передачи данных | 2666 Mbps | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Напряжение питания | 1.2 V | 1.2 V |
| Корпус | 78-ball FBGA (78FBGA) | 78FBGA |
| Рабочая температура | 0C to +85C | 0C to +85C |
| Speed Grade | DDR4-2666 (-BCTD) | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Интерфейс | DDR4 parallel, JEDEC DDR4 ballout | DDR4 (JEDEC-standard) |
| Статус RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Bank Architecture | 16 banks in 4 bank groups (DDR4 standard) | — |
| Burst Length | BL8 (DDR4 standard) | — |
| Application Domain | Computing, networking, industrial memory | — |
| Manufacturing Standard | JEDEC DDR4 SDRAM | — |
| Lead Time / Stock | [DATA_NEEDED: current stock status] | — |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4) |
| Speed Grade Suffix | — | -BCWE |
| Application Class | — | Memory IC / Storage Component |
| Power Reduction vs DDR3 | — | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) |
| Уровень MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |