K4AAG085WM-BCRC vs K4AAG085WM-BCWE Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4AAG085WM-BCRC par Samsung Electronics et K4AAG085WM-BCWE par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4AAG085WM-BCRC | K4AAG085WM-BCWE |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,00 | $7,00 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | [DATA_NEEDED: exact density in Gb] | 16 Gb |
| Organisation de la mémoire | x8 | 2G x 8 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Max Data Rate | Up to 3200 Mbps/pin (family max per Samsung DDR4 page) | — |
| Interface | SSTL12 | DDR4 (JEDEC-standard) |
| Boîtier | 78-ball FBGA | 78FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Architecture | Bank-group DDR4 | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CL of -BCRC speed grade] | — |
| Clock | Differential clock CK/CK# | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Débit de données | — | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4) |
| Speed Grade Suffix | — | -BCWE |
| Application Class | — | Memory IC / Storage Component |
| Power Reduction vs DDR3 | — | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) |