K4AAG085WM-BCRC vs K4AAG085WM-BCWE 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4AAG085WM-BCRC 제조: Samsung Electronics 및 K4AAG085WM-BCWE 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4AAG085WM-BCRC | K4AAG085WM-BCWE |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.00 | $7.00 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | [DATA_NEEDED: exact density in Gb] | 16 Gb |
| 메모리 구성 | x8 | 2G x 8 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Max Data Rate | Up to 3200 Mbps/pin (family max per Samsung DDR4 page) | — |
| 인터페이스 | SSTL12 | DDR4 (JEDEC-standard) |
| 패키지 | 78-ball FBGA | 78FBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Architecture | Bank-group DDR4 | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CL of -BCRC speed grade] | — |
| Clock | Differential clock CK/CK# | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| 데이터 속도 | — | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| 공급 전압 | — | 1.2 V |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4) |
| Speed Grade Suffix | — | -BCWE |
| Application Class | — | Memory IC / Storage Component |
| Power Reduction vs DDR3 | — | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) |