K4AAG085WM-BCWE vs K4AAG085WA-BCTD Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4AAG085WM-BCWE par Samsung Electronics et K4AAG085WA-BCTD par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4AAG085WM-BCWE | K4AAG085WA-BCTD |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | DRAM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $7,00 | $10,18 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gbit (2 GB) |
| Organisation de la mémoire | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Débit de données | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 2666 Mbps |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C | 0C to +85C |
| Boîtier | 78FBGA | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | DDR4 (JEDEC-standard) | DDR4 parallel, JEDEC DDR4 ballout |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4) | — |
| Speed Grade Suffix | -BCWE | — |
| Application Class | Memory IC / Storage Component | — |
| Power Reduction vs DDR3 | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Speed Grade | — | DDR4-2666 (-BCTD) |
| Bank Architecture | — | 16 banks in 4 bank groups (DDR4 standard) |
| Burst Length | — | BL8 (DDR4 standard) |
| Application Domain | — | Computing, networking, industrial memory |
| Manufacturing Standard | — | JEDEC DDR4 SDRAM |
| Lead Time / Stock | — | [DATA_NEEDED: current stock status] |