K4AAG085WM-BCWE vs K4AAG085WA-BCTD Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4AAG085WM-BCWE por Samsung Electronics y K4AAG085WA-BCTD por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4AAG085WM-BCWE | K4AAG085WA-BCTD |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | DRAM | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $7,00 | $10,18 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gbit (2 GB) |
| Organización de memoria | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 2666 Mbps |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +85C | 0C to +85C |
| Encapsulado | 78FBGA | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Interfaz | DDR4 (JEDEC-standard) | DDR4 parallel, JEDEC DDR4 ballout |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4) | — |
| Speed Grade Suffix | -BCWE | — |
| Application Class | Memory IC / Storage Component | — |
| Power Reduction vs DDR3 | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Speed Grade | — | DDR4-2666 (-BCTD) |
| Bank Architecture | — | 16 banks in 4 bank groups (DDR4 standard) |
| Burst Length | — | BL8 (DDR4 standard) |
| Application Domain | — | Computing, networking, industrial memory |
| Manufacturing Standard | — | JEDEC DDR4 SDRAM |
| Lead Time / Stock | — | [DATA_NEEDED: current stock status] |