K4AAG085WM-BCWE vs K4AAG085WA-BCWE Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4AAG085WM-BCWE par Samsung Electronics et K4AAG085WA-BCWE par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4AAG085WM-BCWE | K4AAG085WA-BCWE |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | DRAM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $7,00 | $7,24 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Débit de données | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C | 0 C to 85 C |
| Boîtier | 78FBGA | 78-ball FBGA (9 x 11 mm, 0.8 mm pitch) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | DDR4 (JEDEC-standard) | JEDEC DDR4 |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4) | — |
| Speed Grade Suffix | -BCWE | — |
| Application Class | Memory IC / Storage Component | Main memory / embedded DRAM |
| Power Reduction vs DDR3 | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Operating Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Memory Width | — | 8-bit |
| Refresh | — | Auto-refresh (per JEDEC DDR4) |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |