K4AAG085WM-BCWE vs K4AAG085WA-BCWE Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4AAG085WM-BCWE от Samsung Electronics и K4AAG085WA-BCWE от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | K4AAG085WM-BCWE | K4AAG085WA-BCWE |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | DRAM | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $7,00 | $7,24 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gbit |
| Организация памяти | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Скорость передачи данных | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Напряжение питания | 1.2 V | 1.2 V |
| Рабочая температура | 0C to +85C | 0 C to 85 C |
| Корпус | 78FBGA | 78-ball FBGA (9 x 11 mm, 0.8 mm pitch) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Интерфейс | DDR4 (JEDEC-standard) | JEDEC DDR4 |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4) | — |
| Speed Grade Suffix | -BCWE | — |
| Application Class | Memory IC / Storage Component | Main memory / embedded DRAM |
| Power Reduction vs DDR3 | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) | — |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Operating Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Memory Width | — | 8-bit |
| Refresh | — | Auto-refresh (per JEDEC DDR4) |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |