K4AAG085WM-BCWE vs K4AAG085WM-BCRC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4AAG085WM-BCWE par Samsung Electronics et K4AAG085WM-BCRC par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4AAG085WM-BCWE | K4AAG085WM-BCRC |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | DRAM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $7,00 | $1,00 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | [DATA_NEEDED: exact density in Gb] |
| Organisation de la mémoire | 2G x 8 | x8 |
| Débit de données | 3200 Mbps (DDR4-3200) | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Boîtier | 78FBGA | 78-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | DDR4 (JEDEC-standard) | SSTL12 |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4) | — |
| Speed Grade Suffix | -BCWE | — |
| Application Class | Memory IC / Storage Component | — |
| Power Reduction vs DDR3 | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Max Data Rate | — | Up to 3200 Mbps/pin (family max per Samsung DDR4 page) |
| Architecture | — | Bank-group DDR4 |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT) |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CL of -BCRC speed grade] |
| Clock | — | Differential clock CK/CK# |