K4AAG085WM-BCWE vs K4AAG085WM-BCRC 比較
詳細な並列比較: K4AAG085WM-BCWE メーカー: Samsung Electronics および K4AAG085WM-BCRC メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4AAG085WM-BCWE | K4AAG085WM-BCRC |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | DRAM | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $7.00 | $1.00 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | [DATA_NEEDED: exact density in Gb] |
| メモリ構成 | 2G x 8 | x8 |
| データレート | 3200 Mbps (DDR4-3200) | — |
| 電源電圧 | 1.2 V | — |
| 動作温度 | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| パッケージ | 78FBGA | 78-ball FBGA |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| インターフェース | DDR4 (JEDEC-standard) | SSTL12 |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4) | — |
| Speed Grade Suffix | -BCWE | — |
| Application Class | Memory IC / Storage Component | — |
| Power Reduction vs DDR3 | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) | — |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSLレベル | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Max Data Rate | — | Up to 3200 Mbps/pin (family max per Samsung DDR4 page) |
| Architecture | — | Bank-group DDR4 |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT) |
| CASレイテンシ | — | [DATA_NEEDED: CL of -BCRC speed grade] |
| Clock | — | Differential clock CK/CK# |