K4AAG165WA-BCWE vs K4AAG085WA-BCWE Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4AAG165WA-BCWE par Samsung Electronics et K4AAG085WA-BCWE par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4AAG165WA-BCWE | K4AAG085WA-BCWE |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $62,40 | $7,24 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 16 Gb (2 GB) | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Débit de données | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 78-ball FBGA (9 x 11 mm, 0.8 mm pitch) |
| Package Dimensions | 13 x 9 mm | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Température de fonctionnement | -40C to +95C | 0 C to 85 C |
| Type d'interface | Parallel, DDR4 | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM (Volatile) | — |
| Technology | DDR4 SDRAM, 8n prefetch, bank group architecture | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Active | — |
| Density | — | 16 Gbit |
| Organisation de la mémoire | — | 2G x 8 |
| Operating Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Interface | — | JEDEC DDR4 |
| Memory Width | — | 8-bit |
| Refresh | — | Auto-refresh (per JEDEC DDR4) |
| Application Class | — | Main memory / embedded DRAM |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |