K4AAG165WA-BCWE vs K4AAG085WA-BCWE Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4AAG165WA-BCWE por Samsung Electronics e K4AAG085WA-BCWE por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4AAG165WA-BCWE | K4AAG085WA-BCWE |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $62,40 | $7,24 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamanho da memória | 16 Gb (2 GB) | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Taxa de dados | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | 1.2 V |
| Encapsulamento | 96-ball FBGA | 78-ball FBGA (9 x 11 mm, 0.8 mm pitch) |
| Package Dimensions | 13 x 9 mm | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Temperatura de operação | -40C to +95C | 0 C to 85 C |
| Tipo de interface | Parallel, DDR4 | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM (Volatile) | — |
| Technology | DDR4 SDRAM, 8n prefetch, bank group architecture | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Active | — |
| Density | — | 16 Gbit |
| Organização da memória | — | 2G x 8 |
| Operating Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Interface | — | JEDEC DDR4 |
| Memory Width | — | 8-bit |
| Refresh | — | Auto-refresh (per JEDEC DDR4) |
| Application Class | — | Main memory / embedded DRAM |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |