K4AAG165WA-BCWE vs K4AAG085WA-BCWE Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4AAG165WA-BCWE por Samsung Electronics y K4AAG085WA-BCWE por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4AAG165WA-BCWE | K4AAG085WA-BCWE |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $62,40 | $7,24 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 16 Gb (2 GB) | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V |
| Encapsulado | 96-ball FBGA | 78-ball FBGA (9 x 11 mm, 0.8 mm pitch) |
| Package Dimensions | 13 x 9 mm | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Temperatura de funcionamiento | -40C to +95C | 0 C to 85 C |
| Tipo de interfaz | Parallel, DDR4 | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM (Volatile) | — |
| Technology | DDR4 SDRAM, 8n prefetch, bank group architecture | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Active | — |
| Density | — | 16 Gbit |
| Organización de memoria | — | 2G x 8 |
| Operating Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Interfaz | — | JEDEC DDR4 |
| Memory Width | — | 8-bit |
| Refresh | — | Auto-refresh (per JEDEC DDR4) |
| Application Class | — | Main memory / embedded DRAM |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |