K4AAG165WM-BCWE vs MT40A256M16GE-075E:B Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K4AAG165WM-BCWE par Samsung Electronics et MT40A256M16GE-075E:B par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K4AAG165WM-BCWE K4AAG165WM-BCWE - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | Samsung

K4AAG165WM-BCWE - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | Samsung

K4AAG165WM-BCWE ✓ Actif
Micron Technology
MT40A256M16GE-075E:B MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron

MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron

MT40A256M16GE-075E:B ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K4AAG165WM-BCWE MT40A256M16GE-075E:B
Marque Samsung Electronics Micron Technology
Catégorie DRAM Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $54,65 $3,95
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit —
Organisation de la mémoire 256M x 16 (1G x 16) 256M x 16
Débit de données 3200 Mbps 2666 MT/s (DDR4-2666)
Interface Parallel (DDR4) —
Supply Voltage VDD 1.2 V —
Supply Voltage VDDQ 1.2 V —
Access Time (Clock Cycle Time) [DATA_NEEDED: tCK for BCWE bin] —
Latence CAS [DATA_NEEDED: CL at 3200 Mbps] —
Bank Groups 4 (x16 configuration) —
Burst Length 8 —
Boîtier 78-ball FBGA 96-FBGA (9 x 14 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: temperature range for WM-BCWE] [DATA_NEEDED: operating temperature range for standard grade]
Die Revision W (WM suffix) —
Statut RoHS Compliant —
Operating Frequency 1600 MHz (DDR, 3200 Mbps) —
Taille de mémoire — 4 Gbit
Memory Interface — Parallel
Clock Frequency — 1.33 GHz
VDD / VDDQ — 1.2 V +/-60 mV
VPP — 2.5 V, -125 mV/+250 mV
Internal Banks — 16
Refresh — 64 ms / 8192-cycle; 32 ms / 8192-cycle at 95C
I/O Type — 1.2 V pseudo open-drain
VREFDQ — On-die, internal, adjustable generation
Special Features — Temperature controlled refresh (TCR)
Access Time — [DATA_NEEDED: CAS latency / access time]

Fiches techniques et ressources

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