K4B4G1646D-BCH90 vs K4B4G1646D-BYK0 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646D-BCH90 par Samsung Electronics et K4B4G1646D-BYK0 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BCH90 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646D-BCH90 | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $7,50 | $2,90 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 32M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | — |
| Débit de données | 2133 Mb/s per pin | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| Tension d'alimentation | 1.35V (1.283V to 1.45V) | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Température de fonctionnement | 0°C to +85°C | 0°C to 85°C |
| Latence CAS | 9-14 clocks (programmable) | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | Yes |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sans halogène | Yes | Yes |
| Nombre de broches | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |