K4B4G1646D-BCH90 vs MT41K256M16HA-125 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646D-BCH90 par Samsung Electronics et MT41K256M16HA-125 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BCH90 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646D-BCH90 | MT41K256M16HA-125 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $7,50 | $6,36 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 32M x 16 | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Débit de données | 2133 Mb/s per pin | — |
| Tension d'alimentation | 1.35V (1.283V to 1.45V) | 1.35 V |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Température de fonctionnement | 0°C to +85°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Latence CAS | 9-14 clocks (programmable) | 11 |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sans halogène | Yes | — |
| Taille de mémoire | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Largeur du bus de données | — | 16 bit |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| Nombre de broches | — | 96 |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Logic Family | — | CMOS |
| Refresh Interval | — | 7.8 us at 85C |