K4B4G1646D-BFMA vs MT41K256M16HA-107:E Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646D-BFMA par Samsung Electronics et MT41K256M16HA-107:E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT41K256M16HA-107:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16HA-107:E ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646D-BFMA | MT41K256M16HA-107:E |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,50 | $5,00 |
| Type de mémoire | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Débit de données | 1866 Mbps | 1866 MT/s |
| Tension d'alimentation | 1.5V | 1.35V |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | — |
| Latence CAS | Programmable | 13 (typical) |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Temperature Range | 0°C to 95°C (case) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sans halogène | Yes | — |
| Taille de mémoire | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | — | 0°C to 95°C (Tc) |
| Interface | — | Parallel |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Nombre de broches | — | 96 |