K4B4G1646D-BFMA vs MT41K256M16HA-107:E 比較

詳細な並列比較: K4B4G1646D-BFMA メーカー: Samsung Electronics および MT41K256M16HA-107:E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BFMA K4B4G1646D-BFMA - 4Gb DDR3 SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BFMA - 4Gb DDR3 SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BFMA ✓ 生産中
Micron Technology
MT41K256M16HA-107:E MT41K256M16HA-107:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16HA-107:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16HA-107:E ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4B4G1646D-BFMA MT41K256M16HA-107:E
ブランド Samsung Electronics Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $6.50 $5.00
メモリタイプ DDR3 SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb —
メモリ構成 256M x 16 256M x 16
データレート 1866 Mbps 1866 MT/s
電源電圧 1.5V 1.35V
パッケージ 96-ball FBGA 96-FBGA (9x14 mm)
Ball Pitch 0.8mm —
Number of Banks 8 —
Burst Length 8 and 4 (with burst chop) —
CASレイテンシ Programmable 13 (typical)
On-Die Termination Yes —
Temperature Range 0°C to 95°C (case) —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
ハロゲンフリー Yes —
メモリサイズ — 4Gbit (256M x 16)
Clock Frequency — 933 MHz
Access Time — 20 ns
実装タイプ — Surface Mount
動作温度 — 0°C to 95°C (Tc)
インターフェース — Parallel
RoHS ステータス — Compliant
ピン数 — 96

データシート&リソース

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