K4B4G1646D-BFMA vs MT41K256M16HA-107:E Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4B4G1646D-BFMA от Samsung Electronics и MT41K256M16HA-107:E от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
MT41K256M16HA-107:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16HA-107:E ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | K4B4G1646D-BFMA | MT41K256M16HA-107:E |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $6,50 | $5,00 |
| Тип памяти | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Скорость передачи данных | 1866 Mbps | 1866 MT/s |
| Напряжение питания | 1.5V | 1.35V |
| Корпус | 96-ball FBGA | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | — |
| Задержка CAS | Programmable | 13 (typical) |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Temperature Range | 0°C to 95°C (case) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Без галогенов | Yes | — |
| Размер памяти | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Тип монтажа | — | Surface Mount |
| Рабочая температура | — | 0°C to 95°C (Tc) |
| Интерфейс | — | Parallel |
| Статус RoHS | — | Compliant |
| Количество выводов | — | 96 |