K4B4G1646D-BHMA vs H5TC4G63AFR-PBA Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646D-BHMA par Samsung Electronics et H5TC4G63AFR-PBA par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646D-BHMA | H5TC4G63AFR-PBA |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,90 | $3,98 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Débit de données | 1866 Mbps | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| Tension d'alimentation | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Température de fonctionnement | -40°C to +95°C (TC) | — |
| Latence CAS | 13 (at 1866 Mbps) | — |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 and 4 (with burst chop) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| Refresh Mode | Auto and Self Refresh | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS Latency (CL) | — | 11, 12, 13 |
| Plage de température de fonctionnement | — | 0°C to +95°C (Tcase) |
| Interface | — | 16-bit I/O |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Partial Array Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |