K4B4G1646D-BMK0 vs K4B4G1646E-BYK0 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646D-BMK0 par Samsung Electronics et K4B4G1646E-BYK0 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BMK0 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646D-BMK0 | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $5,90 | $1,80 |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 1600 Mbps (PC3L-12800) | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| Température de fonctionnement | -40°C to 95°C | 0°C to +95°C (TC) |
| Boîtier | 96FBGA (TFBGA) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Die Version | D-die | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Code | TFBGA | — |
| Number of Functions | 1 | — |
| Débit de données | 1600 Mbps | DDR3-1600 (800 MHz) |
| Tension d'alimentation | — | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Latence CAS | — | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| Burst Length | — | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes (dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |