K4B4G1646D-BMK0 vs MT41K256M16HA-125 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646D-BMK0 par Samsung Electronics et MT41K256M16HA-125 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BMK0 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646D-BMK0 | MT41K256M16HA-125 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $5,90 | $6,36 |
| Density | 4 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | — |
| Speed Grade | 1600 Mbps (PC3L-12800) | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| Température de fonctionnement | -40°C to 95°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Boîtier | 96FBGA (TFBGA) | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Die Version | D-die | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sans halogène | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Code | TFBGA | — |
| Number of Functions | 1 | — |
| Débit de données | 1600 Mbps | — |
| Taille de mémoire | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Largeur du bus de données | — | 16 bit |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| Tension d'alimentation | — | 1.35 V |
| Nombre de broches | — | 96 |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Logic Family | — | CMOS |
| Refresh Interval | — | 7.8 us at 85C |
| Latence CAS | — | 11 |