K4B4G1646D-BYH90 vs K4B4G1646D-BFMA Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646D-BYH90 par Samsung Electronics et K4B4G1646D-BFMA par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYH90 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646D-BYH90 | K4B4G1646D-BFMA |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $8,80 | $6,50 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 256M x 16 |
| Débit de données | 2133 Mbps/pin | 1866 Mbps |
| Tension d'alimentation | 1.35V (1.283V to 1.45V) | 1.5V |
| I/O Interface | x16 | — |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Boîtier | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96-ball FBGA |
| Ball Pitch | 0.8 mm | 0.8mm |
| Température de fonctionnement | 0°C to +85°C | — |
| Latence CAS | Programmable (e.g., 11, 12, 13) | Programmable |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 and 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | Yes (ODT pin) | Yes |
| ZQ Calibration | Yes (240-ohm resistor to ground) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sans halogène | Yes | Yes |
| Temperature Range | — | 0°C to 95°C (case) |