K4B4G1646D-BYK0 vs K4B4G1646E-BYK0 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646D-BYK0 par Samsung Electronics et K4B4G1646E-BYK0 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646D-BYK0 | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,90 | $1,80 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tension d'alimentation | 1.35 V (1.5 V compatible) | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Débit de données | 1600 Mbps (PC3-12800) | DDR3-1600 (800 MHz) |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Température de fonctionnement | 0°C to 85°C | 0°C to +95°C (TC) |
| Latence CAS | Programmable (e.g., 11, 10, 9) | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| On-Die Termination | Yes | Yes (dynamic ODT) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Nombre de broches | 96 | — |
| Die Revision | D-die | — |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |