K4B4G1646D-BYK0 vs K4B4G1646E-BYK0 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4B4G1646D-BYK0 от Samsung Electronics и K4B4G1646E-BYK0 от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | K4B4G1646D-BYK0 | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,90 | $1,80 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Напряжение питания | 1.35 V (1.5 V compatible) | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Скорость передачи данных | 1600 Mbps (PC3-12800) | DDR3-1600 (800 MHz) |
| Корпус | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Рабочая температура | 0°C to 85°C | 0°C to +95°C (TC) |
| Задержка CAS | Programmable (e.g., 11, 10, 9) | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| On-Die Termination | Yes | Yes (dynamic ODT) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Без галогенов | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Количество выводов | 96 | — |
| Die Revision | D-die | — |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |