K4B4G1646D-BYK00 vs NT5CC256M16DP-DI Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646D-BYK00 par Samsung Electronics et NT5CC256M16DP-DI par Nanya Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646D-BYK00 | NT5CC256M16DP-DI |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Nanya Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $7,50 | $6,50 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Débit de données | 1600 Mbps | 1600 Mbps/pin (800MHz) |
| Tension d'alimentation | 1.35 V (also operates at 1.5 V) | 1.35V |
| Boîtier | 96-ball TFBGA | VFBGA-96 |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Température de fonctionnement | 0°C to 85°C | — |
| Latence CAS | Programmable | 11, 12, 13 (programmable) |
| Additional Features | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sans halogène | Yes | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Temperature Grade | OTHER | — |
| Plage de température de fonctionnement | — | -40°C to +95°C (industrial) |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Interface | — | Differential clock (CK, CK#) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |