K4B4G1646D-BYK00 vs NT5CC256M16DP-DI Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4B4G1646D-BYK00 por Samsung Electronics e NT5CC256M16DP-DI por Nanya Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ Ativo
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4B4G1646D-BYK00 | NT5CC256M16DP-DI |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Nanya Technology |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $7,50 | $6,50 |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| Organização da memória | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Taxa de dados | 1600 Mbps | 1600 Mbps/pin (800MHz) |
| Tensão de alimentação | 1.35 V (also operates at 1.5 V) | 1.35V |
| Encapsulamento | 96-ball TFBGA | VFBGA-96 |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Temperatura de operação | 0°C to 85°C | — |
| Latência CAS | Programmable | 11, 12, 13 (programmable) |
| Additional Features | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Livre de halogênio | Yes | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Temperature Grade | OTHER | — |
| Faixa de temperatura de operação | — | -40°C to +95°C (industrial) |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Interface | — | Differential clock (CK, CK#) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |