K4B4G1646E-BYK000 vs MT41K128M16JT-125:K Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646E-BYK000 par Samsung Electronics et MT41K128M16JT-125:K par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYK000 K4B4G1646E-BYK000 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK000 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK000 ✓ Actif
Micron Technology
MT41K128M16JT-125:K MT41K128M16JT-125:K - 2Gb DDR3L SDRAM 1600MT/s | Micron Technology

MT41K128M16JT-125:K - 2Gb DDR3L SDRAM 1600MT/s | Micron Technology

MT41K128M16JT-125:K ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K4B4G1646E-BYK000 MT41K128M16JT-125:K
Marque Samsung Electronics Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,56 $9,75
Type de mémoire DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Taille de mémoire 4 Gbit —
Organisation de la mémoire 256M x 16 128M x 16
Speed Grade DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) —
Clock Frequency 800 MHz 800 MHz (1600 MT/s data rate)
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] —
Supply Voltage (VDD) 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) 1.35 V (1.283 V to 1.45 V)
Number of Banks [DATA_NEEDED: bank count] —
Die Process Samsung E-die —
Boîtier 96-FBGA (BYK) 96-FBGA (8x14 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Interface Parallel Parallel
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +95C
Caractéristiques Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Access Time 1.25 ns —
Memory Capacity — 2 Gbit
Access Time (Clock Cycle) — 13.75 ns
Prefetch Architecture — 8n-bit
Self Refresh — Auto self-refresh
Write Leveling — Supported
Data Mask — Supported
On-Die Termination — Dynamic ODT supported
Asynchronous Reset — Supported

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis