K4B4G1646E-BYK000 vs MT41K128M16JT-125:K Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4B4G1646E-BYK000 por Samsung Electronics e MT41K128M16JT-125:K por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYK000 K4B4G1646E-BYK000 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK000 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK000 ✓ Ativo
Micron Technology
MT41K128M16JT-125:K MT41K128M16JT-125:K - 2Gb DDR3L SDRAM 1600MT/s | Micron Technology

MT41K128M16JT-125:K - 2Gb DDR3L SDRAM 1600MT/s | Micron Technology

MT41K128M16JT-125:K ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K4B4G1646E-BYK000 MT41K128M16JT-125:K
Marca Samsung Electronics Micron Technology
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,56 $9,75
Tipo de memória DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Tamanho da memória 4 Gbit —
Organização da memória 256M x 16 128M x 16
Speed Grade DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) —
Clock Frequency 800 MHz 800 MHz (1600 MT/s data rate)
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] —
Supply Voltage (VDD) 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) 1.35 V (1.283 V to 1.45 V)
Number of Banks [DATA_NEEDED: bank count] —
Die Process Samsung E-die —
Encapsulamento 96-FBGA (BYK) 96-FBGA (8x14 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Interface Parallel Parallel
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +95C
Recursos Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Access Time 1.25 ns —
Memory Capacity — 2 Gbit
Access Time (Clock Cycle) — 13.75 ns
Prefetch Architecture — 8n-bit
Self Refresh — Auto self-refresh
Write Leveling — Supported
Data Mask — Supported
On-Die Termination — Dynamic ODT supported
Asynchronous Reset — Supported

Fichas técnicas e recursos

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