K4B4G1646I-BYK0 vs MT41K256M16HA-125 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646I-BYK0 par Samsung Electronics et MT41K256M16HA-125 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646I-BYK0 | MT41K256M16HA-125 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,75 | $6,36 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Taille de mémoire | 4 Gb | 4Gbit (256M x 16) |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | — |
| Tension d'alimentation | 1.35 V | 1.35 V |
| Débit de données | 1866 Mbps | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | 800 MHz |
| Boîtier | FBGA-96 | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Température de fonctionnement | 0°C to 95°C (Tc) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Interface | Parallel | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 11 |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Largeur du bus de données | — | 16 bit |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| Nombre de broches | — | 96 |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Logic Family | — | CMOS |
| Refresh Interval | — | 7.8 us at 85C |