K4B4G1646I-BYK0 vs MT41K256M16HA-125 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4B4G1646I-BYK0 от Samsung Electronics и MT41K256M16HA-125 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | K4B4G1646I-BYK0 | MT41K256M16HA-125 |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,75 | $6,36 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Размер памяти | 4 Gb | 4Gbit (256M x 16) |
| Организация памяти | 256M x 16 | — |
| Напряжение питания | 1.35 V | 1.35 V |
| Скорость передачи данных | 1866 Mbps | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | 800 MHz |
| Корпус | FBGA-96 | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Рабочая температура | 0°C to 95°C (Tc) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Интерфейс | Parallel | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 11 |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Разрядность шины данных | — | 16 bit |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| Количество выводов | — | 96 |
| Статус RoHS | — | Compliant |
| Logic Family | — | CMOS |
| Refresh Interval | — | 7.8 us at 85C |