K4B4G1646I-BYK0 vs MT41K256M16HA-125 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4B4G1646I-BYK0 por Samsung Electronics e MT41K256M16HA-125 por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4B4G1646I-BYK0 | MT41K256M16HA-125 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,75 | $6,36 |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Tamanho da memória | 4 Gb | 4Gbit (256M x 16) |
| Organização da memória | 256M x 16 | — |
| Tensão de alimentação | 1.35 V | 1.35 V |
| Taxa de dados | 1866 Mbps | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | 800 MHz |
| Encapsulamento | FBGA-96 | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Temperatura de operação | 0°C to 95°C (Tc) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Interface | Parallel | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Latência CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 11 |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Largura do barramento de dados | — | 16 bit |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| Número de pinos | — | 96 |
| Status RoHS | — | Compliant |
| Logic Family | — | CMOS |
| Refresh Interval | — | 7.8 us at 85C |