K4RAH086VB-BCQK vs K4RAH086VB-BIWM Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RAH086VB-BCQK par Samsung Electronics et K4RAH086VB-BIWM par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4RAH086VB-BCQK | K4RAH086VB-BIWM |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $41,02 | $4,85 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gb |
| Organisation de la mémoire | 2G x 8 | [DATA_NEEDED: organization x4/x8] |
| Débit de données | 4800 Mbps (DDR5-4800) | 5600 Mbps per pin |
| Clock Frequency | 2400 MHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| Interface | Parallel | — |
| Boîtier | FBGA-82 | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | 0C to 95C (commercial) | [DATA_NEEDED: temperature range] |
| ECC | On-die ECC | — |
| Burst Length | BL32 (DDR5 standard) | — |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| DLL Mode | DLL Enabled (datasheet timing basis) | — |
| Product Status | Active | — |
| Packaging | Tray | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Tension d'alimentation | — | [DATA_NEEDED: VDD voltage] |
| Package Type | — | [DATA_NEEDED: package (FBGA, ball count)] |
| Bank Groups | — | [DATA_NEEDED: bank group count] |
| CAS Latency (CWL) | — | Programmable (per Samsung DDR5 16Gb B-die spec) |
| DLL | — | DLL Enabled mode operation |
| On-Die Termination | — | Yes (via Mode Register setting) |
| Internal Calibration | — | Yes (via MPC) |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Posted CAS | — | Yes |
| Maximum Data Rate (family, per spec Rev1.0) | — | 4800 Mbps per pin (DDR5-4800, general applications) |