K4RAH165VB-BCWM vs K4RBH165VB-BCWM Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RAH165VB-BCWM par Samsung Electronics et K4RBH165VB-BCWM par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4RAH165VB-BCWM | K4RBH165VB-BCWM |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $9,92 | $9,85 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM (volatile DRAM) | DDR5 SDRAM |
| Taille de mémoire | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Tension d'alimentation | 1.1 V | — |
| Technology | DDR5 | — |
| Boîtier | FBGA-106 | FBGA-106 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C | 0C to +85C |
| Maximum Data Rate (DDR5 family) | up to 7200 Mbps | — |
| On-die ECC | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Speed Grade (suffix BCWM) | [DATA_NEEDED: speed grade / CAS latency] | — |
| Packaging | Tray | — |
| Density | — | 16 Gbit |
| Organisation de la mémoire | — | 1G x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| Data Rate Class | — | DDR5 5600 Mbps (family per Octopart listing of sibling part) |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Write CRC | — | Yes |
| Operating Mode | — | DLL Enabled |
| Lead Free | — | Yes |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] |