K4RAH165VB-BIQK vs K4RAH165VB-BCQK Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RAH165VB-BIQK par Samsung Electronics et K4RAH165VB-BCQK par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung
K4RAH165VB-BCQK ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4RAH165VB-BIQK | K4RAH165VB-BCQK |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,00 | $0,00 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 1G x 16 | — |
| Débit de données | 4800 Mbps (MT/s) | 4800 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | 1.1 V |
| On-Die ECC | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| DLL Enabled Mode | Yes (spec mode per datasheet) | — |
| Boîtier | [DATA_NEEDED: exact package ball count / FBGA designation] | 106-ball FBGA |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| Marque | Samsung Semiconductor | — |
| Taille de mémoire | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Error Correction | — | On-die ECC |
| Caractéristiques | — | Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Memory Format | — | DRAM (volatile) |
| Packaging | — | Tray |
| Statut du cycle de vie | — | Active |
| Statut RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Unit Price | — | [DATA_NEEDED: unit price] |