K4RBH086VB-BCQK vs K4RAH086VB-BIQK Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RBH086VB-BCQK par Samsung Electronics et K4RAH086VB-BIQK par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4RBH086VB-BCQK | K4RAH086VB-BIQK |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,00 | $4,25 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gb |
| Organisation de la mémoire | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Débit de données | 4800 Mbps | 4800 Mbps/pin |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| Interface | DDR5 (CA bus, ODECC) | DDR5 (CA reduced pin count) |
| On-die ECC | Yes | — |
| Boîtier | FBGA-82 | 82FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 32ms/64ms] | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency at 4800 Mbps] | — |
| Power Supply Rails | VDD/VDDQ 1.1 V (PMIC on module) | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) |
| Packaging | [DATA_NEEDED: tray or tape and reel standard quantity] | — |
| Core Supply Voltage | — | 1.1 V (nominal) |
| Configuration | — | X8 |
| Speed Grade | — | BIQK (-BIQK bin) |
| ECC | — | On-die ECC (DDR5 standard) |
| Burst Length | — | 16 / 32 |
| Operating Mode | — | DLL enabled |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] |