K4RBH086VB-BCQK vs K4RAH086VB-BIQK 비교

다음의 상세 나란히 비교: K4RBH086VB-BCQK 제조: Samsung Electronics 및 K4RAH086VB-BIQK 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Samsung Electronics
K4RBH086VB-BCQK K4RBH086VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH086VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH086VB-BCQK ✓ 활성
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K4RAH086VB-BIQK K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK ✓ 활성

사양 비교

파라미터 K4RBH086VB-BCQK K4RAH086VB-BIQK
브랜드 Samsung Electronics Samsung Electronics
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.00 $4.25
메모리 유형 DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb 16 Gb
메모리 구성 2G x 8 2G x 8
데이터 속도 4800 Mbps 4800 Mbps/pin
Supply Voltage (VDD) 1.1 V —
인터페이스 DDR5 (CA bus, ODECC) DDR5 (CA reduced pin count)
On-die ECC Yes —
패키지 FBGA-82 82FBGA
실장 유형 Surface Mount —
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 32ms/64ms] [DATA_NEEDED: refresh rate specification]
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS latency at 4800 Mbps] —
Power Supply Rails VDD/VDDQ 1.1 V (PMIC on module) —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
RoHS 상태 Compliant Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA)
Packaging [DATA_NEEDED: tray or tape and reel standard quantity] —
Core Supply Voltage — 1.1 V (nominal)
Configuration — X8
Speed Grade — BIQK (-BIQK bin)
ECC — On-die ECC (DDR5 standard)
Burst Length — 16 / 32
Operating Mode — DLL enabled
CAS 레이턴시 — [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)]

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