K4RBH086VB-BCQK vs K4RAH165VB-BCQK Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RBH086VB-BCQK par Samsung Electronics et K4RAH165VB-BCQK par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung
K4RAH165VB-BCQK ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4RBH086VB-BCQK | K4RAH165VB-BCQK |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,00 | $0,00 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 2G x 8 | — |
| Débit de données | 4800 Mbps | 4800 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | 1.1 V |
| Interface | DDR5 (CA bus, ODECC) | — |
| On-die ECC | Yes | — |
| Boîtier | FBGA-82 | 106-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 32ms/64ms] | — |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency at 4800 Mbps] | — |
| Power Supply Rails | VDD/VDDQ 1.1 V (PMIC on module) | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Statut RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging | [DATA_NEEDED: tray or tape and reel standard quantity] | Tray |
| Taille de mémoire | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Error Correction | — | On-die ECC |
| Caractéristiques | — | Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration |
| Memory Format | — | DRAM (volatile) |
| Statut du cycle de vie | — | Active |
| Unit Price | — | [DATA_NEEDED: unit price] |