K4RBH086VB-BCQK vs K4RAH165VB-BCQK 비교

다음의 상세 나란히 비교: K4RBH086VB-BCQK 제조: Samsung Electronics 및 K4RAH165VB-BCQK 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

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K4RBH086VB-BCQK K4RBH086VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH086VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH086VB-BCQK ✓ 활성
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK ✓ 활성

사양 비교

파라미터 K4RBH086VB-BCQK K4RAH165VB-BCQK
브랜드 Samsung Electronics Samsung Electronics
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.00 $0.00
메모리 유형 DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb —
메모리 구성 2G x 8 —
데이터 속도 4800 Mbps 4800 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.1 V 1.1 V
인터페이스 DDR5 (CA bus, ODECC) —
On-die ECC Yes —
패키지 FBGA-82 106-ball FBGA
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +85C
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 32ms/64ms] —
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS latency at 4800 Mbps] —
Power Supply Rails VDD/VDDQ 1.1 V (PMIC on module) —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
RoHS 상태 Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Packaging [DATA_NEEDED: tray or tape and reel standard quantity] Tray
메모리 크기 — 16 Gb
Memory Organization — 1G x 16
Memory Interface — Parallel
Error Correction — On-die ECC
특징 — Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration
Memory Format — DRAM (volatile)
수명 주기 상태 — Active
Unit Price — [DATA_NEEDED: unit price]

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