K6F3216U6M-EF70T vs K6F2016U4E-EF70T Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K6F3216U6M-EF70T par Samsung Electronics et K6F2016U4E-EF70T par Samsung Electro-Mechanics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electro-Mechanics
K6F2016U4E-EF70T - 2Mbit Async SRAM 70ns 48-TFBGA | Samsung
K6F2016U4E-EF70T ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K6F3216U6M-EF70T | K6F2016U4E-EF70T |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electro-Mechanics |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,10 | $0,00 |
| Type de mémoire | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| Taille de mémoire | 32 Mbit | 2 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 2M x 16 | 128K x 16 |
| Tension d'alimentation | 3 V | — |
| Access Time | 55 ns | — |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Technology | Full CMOS Static RAM | Full CMOS |
| Boîtier | 55-TFBGA (7.5 x 12 mm) | 48-TFBGA (6 x 7) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Speed Grade | -EF70 (55 ns) | — |
| Standard Pack Qty | 2400 | — |
| Statut RoHS | NO (per third-party listing) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Memory Composition | Volatile SRAM | — |
| Refresh Requirement | None (static memory) | None (static RAM) |
| Access Time (tAA) | — | 70 ns |
| Supply Voltage (VCC) | — | 2.7 V to 3.3 V |
| Active Supply Current (ICC1) | — | [DATA_NEEDED: ICC1] |
| Standby Current (ICC2) | — | [DATA_NEEDED: ICC2 for 70 ns grade] |
| Control Signals | — | CE, OE, WE |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |