K6F3216U6M-EF70T vs K6F2016U4E-EF70T 比較
詳細な並列比較: K6F3216U6M-EF70T メーカー: Samsung Electronics および K6F2016U4E-EF70T メーカー: Samsung Electro-Mechanics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Samsung Electro-Mechanics
K6F2016U4E-EF70T - 2Mbit Async SRAM 70ns 48-TFBGA | Samsung
K6F2016U4E-EF70T ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | K6F3216U6M-EF70T | K6F2016U4E-EF70T |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electro-Mechanics |
| カテゴリ | Memory ICs | DRAM |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $6.10 | $0.00 |
| メモリタイプ | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| メモリサイズ | 32 Mbit | 2 Mbit |
| メモリ構成 | 2M x 16 | 128K x 16 |
| 電源電圧 | 3 V | — |
| Access Time | 55 ns | — |
| インターフェース | Parallel | Parallel |
| Technology | Full CMOS Static RAM | Full CMOS |
| パッケージ | 55-TFBGA (7.5 x 12 mm) | 48-TFBGA (6 x 7) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Speed Grade | -EF70 (55 ns) | — |
| Standard Pack Qty | 2400 | — |
| RoHS ステータス | NO (per third-party listing) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Memory Composition | Volatile SRAM | — |
| Refresh Requirement | None (static memory) | None (static RAM) |
| Access Time (tAA) | — | 70 ns |
| Supply Voltage (VCC) | — | 2.7 V to 3.3 V |
| Active Supply Current (ICC1) | — | [DATA_NEEDED: ICC1] |
| Standby Current (ICC2) | — | [DATA_NEEDED: ICC2 for 70 ns grade] |
| Control Signals | — | CE, OE, WE |
| 湿気感度レベル（MSL） | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |