K6F3216U6M-EF70T vs K6F2016U4E-EF70T 비교
다음의 상세 나란히 비교: K6F3216U6M-EF70T 제조: Samsung Electronics 및 K6F2016U4E-EF70T 제조: Samsung Electro-Mechanics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Samsung Electro-Mechanics
K6F2016U4E-EF70T - 2Mbit Async SRAM 70ns 48-TFBGA | Samsung
K6F2016U4E-EF70T ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | K6F3216U6M-EF70T | K6F2016U4E-EF70T |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electro-Mechanics |
| 카테고리 | Memory ICs | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.10 | $0.00 |
| 메모리 유형 | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| 메모리 크기 | 32 Mbit | 2 Mbit |
| 메모리 구성 | 2M x 16 | 128K x 16 |
| 공급 전압 | 3 V | — |
| Access Time | 55 ns | — |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| Technology | Full CMOS Static RAM | Full CMOS |
| 패키지 | 55-TFBGA (7.5 x 12 mm) | 48-TFBGA (6 x 7) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Speed Grade | -EF70 (55 ns) | — |
| Standard Pack Qty | 2400 | — |
| RoHS 상태 | NO (per third-party listing) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Memory Composition | Volatile SRAM | — |
| Refresh Requirement | None (static memory) | None (static RAM) |
| Access Time (tAA) | — | 70 ns |
| Supply Voltage (VCC) | — | 2.7 V to 3.3 V |
| Active Supply Current (ICC1) | — | [DATA_NEEDED: ICC1] |
| Standby Current (ICC2) | — | [DATA_NEEDED: ICC2 for 70 ns grade] |
| Control Signals | — | CE, OE, WE |
| 습도 민감도 레벨 (MSL) | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |