K6X0808C1D-BF70T vs K6X0808C1D-GF70T00 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K6X0808C1D-BF70T par Samsung Electronics et K6X0808C1D-GF70T00 par Samsung Electro-Mechanics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF70T K6X0808C1D-BF70T - 32Kx8 70ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-BF70T - 32Kx8 70ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-BF70T ✓ Actif
Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF70T00 K6X0808C1D-GF70T00 - 256Kbit 32Kx8 Async SRAM 70ns | Samsung

K6X0808C1D-GF70T00 - 256Kbit 32Kx8 Async SRAM 70ns | Samsung

K6X0808C1D-GF70T00 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K6X0808C1D-BF70T K6X0808C1D-GF70T00
Marque Samsung Electronics Samsung Electro-Mechanics
Catégorie DRAM DRAM
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,05 $1,85
Type de mémoire SRAM - Asynchronous SRAM - Asynchronous
Taille de mémoire 256 Kbit 256 Kbit
Memory Organization 32K x 8 —
Memory Interface Parallel —
Access Time 70 ns 70 ns
Write Cycle Time - Word, Page 70 ns —
Voltage - Supply 4.5 V to 5.5 V —
Température de fonctionnement -40C to +85C (TA) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Boîtier 28-SOP 28-SOP
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Process Technology CMOS —
Address Bus Width 15 bit (A0-A14) —
Largeur du bus de données 8 bit (I/O0-I/O7) —
Control Signals CE, OE, WE CE, OE, WE
I/O Compatibility TTL compatible —
Refresh Requirement None (fully static operation) —
Statut RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Organisation de la mémoire — 32K x 8
Interface — Parallel
Technology — CMOS
Tension d'alimentation — 5 V
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Active Current — [DATA_NEEDED: active current]
I/O Type — Common Data I/O, TTL compatible
Clock / Refresh — Fully static, no clock or refresh required
Packaging — Tape & Reel (T00 suffix)

Fiches techniques et ressources

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