K6X0808C1D-BF70T vs K6X0808C1D-GF70T00 비교
다음의 상세 나란히 비교: K6X0808C1D-BF70T 제조: Samsung Electronics 및 K6X0808C1D-GF70T00 제조: Samsung Electro-Mechanics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF70T00 - 256Kbit 32Kx8 Async SRAM 70ns | Samsung
K6X0808C1D-GF70T00 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | K6X0808C1D-BF70T | K6X0808C1D-GF70T00 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electro-Mechanics |
| 카테고리 | DRAM | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.05 | $1.85 |
| 메모리 유형 | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| 메모리 크기 | 256 Kbit | 256 Kbit |
| Memory Organization | 32K x 8 | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Write Cycle Time - Word, Page | 70 ns | — |
| Voltage - Supply | 4.5 V to 5.5 V | — |
| 동작 온도 | -40C to +85C (TA) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| 패키지 | 28-SOP | 28-SOP |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Technology | CMOS | — |
| Address Bus Width | 15 bit (A0-A14) | — |
| 데이터 버스 폭 | 8 bit (I/O0-I/O7) | — |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE |
| I/O Compatibility | TTL compatible | — |
| Refresh Requirement | None (fully static operation) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| 메모리 구성 | — | 32K x 8 |
| 인터페이스 | — | Parallel |
| Technology | — | CMOS |
| 공급 전압 | — | 5 V |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Active Current | — | [DATA_NEEDED: active current] |
| I/O Type | — | Common Data I/O, TTL compatible |
| Clock / Refresh | — | Fully static, no clock or refresh required |
| Packaging | — | Tape & Reel (T00 suffix) |