K6X0808C1D-GF55000 vs K6X0808C1D-BF55 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K6X0808C1D-GF55000 par Samsung Electronics et K6X0808C1D-BF55 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K6X0808C1D-GF55000 - 32Kx8 Async SRAM 55ns | Samsung Semiconductor
K6X0808C1D-GF55000 ✓ ActifSamsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung
K6X0808C1D-BF55 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K6X0808C1D-GF55000 | K6X0808C1D-BF55 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,20 | $1,85 |
| Type de mémoire | SRAM - Asynchronous | Asynchronous SRAM |
| Taille de mémoire | 256 Kbit | 256 Kbit |
| Organisation de la mémoire | 32K x 8 | 32K x 8 |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Tension d'alimentation | 5 V | 5 V |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Boîtier | 28-SOP | 28-SOP |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Operating Current | [DATA_NEEDED: operating current] | [DATA_NEEDED: operating current] |
| Write Cycle Time | [DATA_NEEDED: write cycle time] | — |
| Type de sortie | Three-state, common data I/O | — |
| Control Signals | CE, OE, WE (active low) | CE, OE, WE |
| Memory Format | Volatile, no refresh required | SRAM |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | unknown |
| Technology | Low-power CMOS | CMOS |
| Clock Frequency | — | N/A (asynchronous) |
| Refresh | — | Not required (static memory) |