K6X0808C1D-GF55000 vs K6X0808C1D-BF55 비교
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Samsung Electronics
K6X0808C1D-GF55000 - 32Kx8 Async SRAM 55ns | Samsung Semiconductor
K6X0808C1D-GF55000 ✓ 활성Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung
K6X0808C1D-BF55 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | K6X0808C1D-GF55000 | K6X0808C1D-BF55 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $3.20 | $1.85 |
| 메모리 유형 | SRAM - Asynchronous | Asynchronous SRAM |
| 메모리 크기 | 256 Kbit | 256 Kbit |
| 메모리 구성 | 32K x 8 | 32K x 8 |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| 공급 전압 | 5 V | 5 V |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 패키지 | 28-SOP | 28-SOP |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Operating Current | [DATA_NEEDED: operating current] | [DATA_NEEDED: operating current] |
| Write Cycle Time | [DATA_NEEDED: write cycle time] | — |
| 출력 유형 | Three-state, common data I/O | — |
| Control Signals | CE, OE, WE (active low) | CE, OE, WE |
| Memory Format | Volatile, no refresh required | SRAM |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | unknown |
| Technology | Low-power CMOS | CMOS |
| Clock Frequency | — | N/A (asynchronous) |
| Refresh | — | Not required (static memory) |