K6X0808C1D-GF55000 vs K6X0808C1D-BF55 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K6X0808C1D-GF55000 por Samsung Electronics e K6X0808C1D-BF55 por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K6X0808C1D-GF55000 - 32Kx8 Async SRAM 55ns | Samsung Semiconductor
K6X0808C1D-GF55000 ✓ AtivoSamsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung
K6X0808C1D-BF55 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | K6X0808C1D-GF55000 | K6X0808C1D-BF55 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | DRAM |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $3,20 | $1,85 |
| Tipo de memória | SRAM - Asynchronous | Asynchronous SRAM |
| Tamanho da memória | 256 Kbit | 256 Kbit |
| Organização da memória | 32K x 8 | 32K x 8 |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Tensão de alimentação | 5 V | 5 V |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Encapsulamento | 28-SOP | 28-SOP |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Operating Current | [DATA_NEEDED: operating current] | [DATA_NEEDED: operating current] |
| Write Cycle Time | [DATA_NEEDED: write cycle time] | — |
| Tipo de saída | Three-state, common data I/O | — |
| Control Signals | CE, OE, WE (active low) | CE, OE, WE |
| Memory Format | Volatile, no refresh required | SRAM |
| Status RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | unknown |
| Technology | Low-power CMOS | CMOS |
| Clock Frequency | — | N/A (asynchronous) |
| Refresh | — | Not required (static memory) |